افزایش توان تراشهها با ابتکار اینتل
آفتاب‌‌نیوز : 
شركت اينتل اعلام كرد: نمونه جديدي از ترانزيستور طراحي كرده كه ميتواند تاثير بسزايي در بازار صنعت نيمه رساناها داشته باشد.
ترانزيستور طراحي شده توسط محققان اين شركت به لحاظ ساختاري مشابه ترانزيستورهاي قديمي است ؛ اما بر خلاف ترانزيستورهاي قديمي در ترانزيستور جديد كانال محل عبور الكترونها از نوع سيليكاني نيست .
محققان اينتل ميگويند: جايگزيني سيليكان با تركيب مذكور در ترانزيستورهاي جديد اين شركت مصرف برق را 10 درصد كاهش و عملكرد را تا 50 درصد افزايش خواهد داد.
به گفته مسوولان شركت اينتل ؛ تراشههاي ساخته شده بر پايه اين ترانزيستورهاي جديد تا سال 2015 وارد بازار خواهد شد.
شركت اينتل اعلام كرد: نمونه جديدي از ترانزيستور طراحي كرده كه ميتواند تاثير بسزايي در بازار صنعت نيمه رساناها داشته باشد. ترانزيستور طراحي شده توسط محققان اين شركت به لحاظ ساختاري مشابه ترانزيستورهاي قديمي است ؛ اما بر خلاف ترانزيستورهاي قديمي در ترانزيستور جديد كانال محل عبور الكترونها از نوع سيليكاني نيست .
محققان اينتل ميگويند: جايگزيني سيليكان با تركيب مذكور در ترانزيستورهاي جديد اين شركت مصرف برق را 10 درصد كاهش و عملكرد را تا 50 درصد افزايش خواهد داد.
به گفته مسوولان شركت اينتل ؛ تراشههاي ساخته شده بر پايه اين ترانزيستورهاي جديد تا سال 2015 وارد بازار خواهد شد.
گزارش خطا
ارسال به دوستان
نسخه چاپی
ذخیره عضویت در خبرنامه 
پربحث ترین عناوین
پرطرفدار ترین عناوین
لینک های مفید